Ở bài viết trước chúng ta đã tìm hiểu chi tiết về transistor BJT là gì. Bài viết hôm nay chúng ta sẽ tìm về một loại linh kiện rất phổ biến khác đó là MOSFET (FET). Vậy FET là gì? MOSFET là gì? Cấu tạo, nguyên lý hoạt động, phân loại, sơ đồ mạch ứng dụng của MOSFET ra sau chúng ta sẽ cùng tìm hiểu nhé.
Contents
Fet là gì? Mosfet là gì?
FET (Field-effect transistor) là transistor hiệu ứng trường. FET có 2 loại là MOSFET và JFET, trong thực tế MOSFET được sử dụng rộng rãi hơn. Trong bài viết này chỉ tập trung tìm hiểu chi tiết về MOSFET. Như vậy MOSFET là gì?
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) là loại transistor có khả năng đóng ngắt nhanh và tổn hao do đóng ngắt thấp. Khác với transistor BJT có cổng điều khiển bằng dòng điện, MOSFET được điều khiển bằng điện áp.
MOSFET đòi hỏi công suất tiêu thụ ở mạch cổng kích thấp, tốc độ kích đóng nhanh và tổn hao do đóng ngắt thấp. Tuy nhiên, MOSFET có điện trở khi dẫn điện lớn. Do đó, công suất tổn hao khi dẫn điện lớn làm nó không thể phát triển thành linh kiện công suất lớn. Được sử dụng nhiều trong các ứng dụng công suất nhỏ (vài kW)
Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của mosfet
Cấu tạo của MOSFET
Linh kiện MOSFET có thể có cấu trúc pnp và npn. Hình bên dưới mô tả cấu trúc của MOSFET loại npn. Giữa lớp kim loại mạch cổng và các mối n+ và p có lớp điện môi silicon oxid SiO. Điểm thuận lợi cơ bản của MOSFET là khả năng điều khiển kích đóng ngắt linh kiện bằng xung điện áp ở mạch cổng.
Nguyên lý hoạt động của MOSFET
Khi điện áp dương đặt lên giữa cổng G và Source, tác dụng của điện trường (FET) sẽ kéo các electron từ lớp n+ vào lớp p. Tạo điều kiện hình thành một kênh nối gần cổng nhất, cho phép dòng điện từ cực drain tới cực Source.
Đặc tính của Mosfet là gì
Đặc tính của Mosfet
Đặc tính V-A của linh kiện MOSFET loại n được vẽ như hình bên dưới, có dạng tương tự với đặc tính V-A của BJT. Điểm khác biệt là tham số điều khiển là điện áp kích UGS thay cho dòng điện kích IBE.
Để MOSFET ở trạng thái đóng, đòi hỏi điện áp cổng tác dụng liên tục, điện áp UGS để MOSFET dẫn hoàn toàn thường từ 10-15V. Điện áp điều khiển tối đa ± 20V (tùy theo loại), mặc dù thông thường có thể dùng áp đến 5V để điều khiển được nó.
Dòng điện đi vào mạch cổng điều khiển không đáng kể, trừ khi mạch ở trạng thái quá độ, đóng hoặc ngắt dòng. Lúc đó xuất hiện dòng phóng và nạp của tụ của mạch cổng.
Thời gian đóng ngắt rất nhỏ, khoảng vài ns đến hàng trăm ns phụ thuộc vào linh kiện. Điện trở trong của MOSFET khi dẫn điện RON thay đổi phụ thuộc vào khả năng chịu áp của linh kiện. Do đó, linh kiện MOSFET thường có định mức áp thấp tương ứng với trở kháng trong nhỏ và tổn hao ít.
Tuy nhiên, tốc độ đóng ngắt nhanh, tổn hao phát sinh thấp. Do đó, với định mức áp từ 300-400V MOSFET tỏ ra ưu điểm so với BJT ở tần số vài chục kHz.
MOSFET có thể sử dụng đến mức điện áp 1000V, dòng điện vài chục Ampe. Hay với mức điện áp vài trăm Volt với dòng điện cho phép khoảng 100A.
Các thông số đặc trưng của Mosfet
Điện áp ngưỡng (Threshold voltage)
Điện áp ngưỡng thường được đo bằng cách nối cực cửa đến cực máng và sau đó xác định điện áp phải được cấp trên các linh kiện để đạt được dòng điện máng 1,0 mA. Phương pháp này đơn giản để thực hiện và cung cấp một chỉ báo sẵn sàng của điểm mà ở đó sự đảo ngược kênh xảy ra trong linh kiện. Các giá trị phổ biến là 2-4V cho các linh kiện điện áp cao với các lớp ôxít cực cửa dày hơn và 1-2V cho các linh kiện điện áp thấp hơn, các linh kiện tương thích logic với các lớp ôxít cực cửa mỏng hơn.
Điện áp đánh thủng nguồn-máng
Tiếp xúc PN phân cực ngược trong MOSFET công suất được hình thành giữa sự khuếch tán của thân lớp p và lớp cấy lên n˗ (epi-layer). Đối với bất kỳ tiếp xúc p-n nào, cũng tồn tại một giá trị điện áp đánh thủng lý thuyết cực đại, phụ thuộc vào cấu hình cấy tạp chất và độ dày vật liệu. Đối với trường hợp của MOSFET công suất kênh-n, gần như tất cả điện áp chặn được hỗ trợ bởi lớp cấy n-. Khả năng của lớp n– để hỗ trợ điện áp là một hàm của điện trở suất và độ dày của nó trong đó cả hai đều phải tăng để đáp ứng điện áp đánh thủng cao hơn. Điều này có hậu quả rõ ràng trong điện trở nguồn-máng là với RDS(ON) tỷ lệ gần đúng với BVDSS. Do đó, quan trọng để thiết kế các linh kiện MOS công suất sao cho điện áp đánh thủng càng gần với lý thuyết tối đa càng tốt nếu không thì vật liệu có điện trở suất cao hơn, dày hơn phải được dùng. Các mô hình máy tính được sử dụng để khảo sát đánh giá ảnh hưởng của thiết kế và bố trí tế bào trên điện áp đánh thủng. Vì những yếu tố này cũng ảnh hưởng đến ‘trạng thái ON’ và các hoạt động chuyển mạch, một mức độ thỏa hiệp là cần thiết.
Để đạt được tỷ lệ phần trăm cao của điện áp đánh thủng cực đại lý thuyết, nó cần thiết để xây dựng các cấu trúc cạnh xung quanh vùng hoạt động của linh kiện. Các cấu trúc cạnh được thiết kế để giảm điện trường mà nếu không điện trường sẽ cao hơn trong những vùng này và gây ra sự đánh thủng sớm.
Trở kháng trạng thái-ON Máng-Nguồn
Trở kháng trạng thái ON của một MOSFET công suất được tạo nên từ vài thành phần như được vẽ trong hình 4:
RDS(on) = Rsource + Rch + RA + RJ + RD + Rsub + Rwcml
Với:
Rsource = trở kháng khuếch tán cực cửa
Rch = trở kháng kênh dẫn
RA = trở kháng tích lũy
RJ = trở kháng của thành phần “JFET” của vùng giữa hai vùng thân
RD = trở kháng vùng trôi (vùng epitaxy)
Rsub = trở kháng nền
Hình 4: Nguồn gốc các trở kháng nội của MOSFET công suất.
Các miếng bán dẫn với các trở kháng nền đến 20 mΩ-cm được sử dụng cho các linh kiện điện áp cao và nhỏ hơn 5mΩ-cm cho các linh kiện điện áp thấp.
Rwcml = tổng của trở kháng dây nối, các trở kháng tiếp xúc giữa cực nguồn và kim loại cực máng và vùng silicon, vùng kim loại và khung chì đóng góp. Những thành phần này là bình thường không đáng kể trong các linh kiện điện áp cao nhưng có thể trở nên đáng kể trong các linh kiện điện áp thấp.
Hình 5 biểu diễn sự quan hệ quan trọng của mỗi thành phần đến RDS(on) trên phổ điện áp. Như có thể thấy, ở điện áp cao, RDS(on) bị chi phối bởi điện trở epi và thành phần JFET. Thành phần này cao hơn trong các linh kiện điện áp cao do điện trở suất cao hơn hoặc nồng độ các hạt dẫn của nền thấp hơn trong vùng epi. Ở các điện áp thấp hơn, RDS (on) bị chi phối bởi điện trở kênh và các sự đóng góp từ tiếp xúc bán dẫn với kim loại, quá trình kim loại hóa, dây nối và khung dẫn. Sự đóng góp của nền trở nên quan trọng hơn đối với các linh kiện có điện áp đánh thủng thấp hơn.
Hình 5: Các phân phối liên quan đến RDS(ON) với các chỉ số xếp loại điện áp khác nhau.
Hỗ dẫn
Hỗ dẫn gfs là một giá trị đo của độ nhạy dòng cực máng đối với các sự thay đổi trong sự phân cực cửa-nguồn. Thông số này thường được trích dẫn cho một Vgs mà nó cho một dòng máng bằng với khoảng một nữa của giá trị định mức dòng cực đại và cho một VDS đảm bảo hoạt động trong vùng dòng không đổi. Hỗ dẫn bị ảnh hưởng bởi độ rộng cực cửa, độ rộng này tăng lên tỷ lệ với vùng tích cực khi tăng mật độ tế bào. Mật độ tế bào đã tăng trong những năm qua từ khoảng nữa triệu trên mỗi inch vuông trong năm 1980 tới khoảng 8 triệu cho các MOSFET công nghệ tấm phẳng và khoảng 12 triệu cho công nghệ rãnh. Yếu tố hạn chế đối với mật độ tế bào cao hơn nữa là độ phân giải và quá trình quang khắc ở trung tâm của các tế bào. Chiều dài kênh dẫn cũng ảnh hưởng hỗ dẫn. Chiều dài giảm có lợi cho cả gfs và trở kháng-on, với đột phá là sự cân bằng. Giới hạn thấp hơn cho chiều dài này được xác lập bởi khả năng điều khiển quá trình khuếch tán-kép và hiện nay là khoảng 1-2 mm. Cuối cùng bề dày của oxid cực cổng càng mỏng thì gfs càng cao.
Công suất tiêu tán
Việc tiêu tán công suất tối đa cho phép sẽ làm tăng nhiệt độ lên mức tối đa cho phép khi nhiệt độ vỏ được giữ ở 25oC là rất quan trọng. Nó được cho bởi Pd trong đó:
Tjmax = Nhiệt độ cực đại cho phép của tiếp xúc pn trong linh kiện (thường là 150oC hoặc 175oC)
RthJC = Trở kháng nhiệt giữa các mối nối của thiết bị.
Các đặc tính động
Khi MOSFET được sử dụng như một công tắc, chức năng cơ bản của nó là điều khiển dòng cực máng bởi điện áp cực cửa. Hoạt động chuyển mạch của một linh kiện được xác định bởi thời gian yêu cầu để ổn định các thay đổi điện áp trên các tụ điện. RG là trở kháng được phân phối của cực cửa và nó tỷ lệ nghịch với vùng hoạt động. LS và LD là các hệ số tự cảm của các đầu cực nguồn, cực máng và có giá trị khoảng vài chục nH. Các giá trị tiêu biểu của ngõ vào (Ciss), ngõ ra (Coss) và các điện dung truyền ngược (Crss) trong các datasheet được các nhà thiết kế mạch sử dụng như một điểm khởi đầu trong việc xác định các giá trị thành phần mạch. Các điện dung datasheet được định nghĩa theo điện dung mạch tương đương là:
Ciss = CGS + CGD, (CDS nối tắt)
Crss = CGD
Coss = CDS + CGD
Điện dung cửa-nguồn, CGD, là một hàm phi tuyến của điện áp và là thông số quan trọng nhất bởi vì nó cung cấp một vòng hồi tiếp giữa ngõ ra và ngõ vào của mạch. CGD cũng được gọi là điện dung Miller bởi vì nó gây ra tổng điện dung đầu vào động trở nên lớn hơn hơn tổng các điện dung tĩnh.
Hình 6 biểu diễn một mạch test thời gian chuyển mạch tiêu biểu. Cũng được biểu diễn là các thành phần thời gian tăng và giảm liên quan đến các dạng sóng VGS và VDS.
Độ trễ khi bật mở, td (on), là thời gian để nạp điện dung đầu vào của linh kiện
trước khi dòng cực máng có thể bắt đầu chạy. Tương tự, độ trễ bật tắt, td (off), là thời gian để xả điện dung sau khi được bật tắt.
Hình 6: (a) Kiểm tra thời gian chuyển mạch, (b) Các dạng sóng VDS và VGS.
Điện tích cực cửa
Mặc dù các giá trị điện dung đầu vào là hữu ích, chúng không cung cấp kết quả chính xác khi so sánh hoạt động chuyển mạch của hai linh kiện từ các nhà sản xuất khác nhau.
Ảnh hưởng của kích thước linh kiện và hỗ dẫn làm cho sự so sánh khó hơn. Một tham số hữu ích hơn từ quan điểm thiết kế mạch là điện tích cực cửa thay vì điện dung. Phần lớn nhà sản xuất liệt kê cả hai các tham số trên datasheet của họ.
Hình 7 cho thấy một dạng sóng điện tích cực cửa điển hình và mạch điện test. Khi cực cửa được nối với điện áp cung cấp, VGS bắt đầu tăng cho đến khi đạt đến Vth, tại thời điểm đó dòng cực máng bắt đầu chảy và CGS bắt đầu nạp. Suốt trong khoảng thời gian t1 đến t2, CGS tiếp tục nạp, điện áp cực cửa tiếp tục tăng và dòng máng hiện tại tăng một cách tương xứng. Tại thời điểm t2, CGS được nạp hoàn toàn và dòng cực máng đạt đến dòng ID được xác định trước và không đổi trong khi điện áp cực máng bắt đầu giảm. Với tham chiếu đến mô hình mạch tương đương của MOSFET được hiển thị trong Hình 6, có thể thấy rằng với CGS được nạp đầy ở t2, VGS trở nên không đổi và dòng điện lái bắt đầu nạp cho điện dung Miller, CDG. Điều này tiếp tục cho đến thời điểm t3. Thời gian nạp cho điện dung Miller là lớn hơn so với thời gian nạp cho điện dung từ cực cửa đến cực nguồn CGS do sự thay đổi nhanh chóng điện áp cực máng giữa t2 và t3 (dòng điện = C dv/dt). Một khi cả hai điện dung CGS và CGD được nạp đầy, điện áp cực cửa (VGS) bắt đầu tăng trở lại cho đến khi nó đạt đến điện áp cung cấp tại thời điểm t4. Điện tích cực cửa (QGS + QGD) tương ứng với thời gian t3 là hàng rào điện tích tối thiểu cần thiết để bật linh kiện dẫn. Việc thực hành thiết kế mạch tốt quyết định sử dụng điện áp cực cửa cao hơn mức tối thiểu cần thiết cho chuyển mạch và do đó điện tích cực cửa được sử dụng trong các tính toán là QG tương ứng với t4.
Hình 7: (a) Kiểm tra điện tích cực cửa, (b) Các dạng sóng kết quả của cực máng và cực cửa.
Lợi thế của việc sử dụng điện tích cực cửa là người thiết kế có thể dễ dàng tính toán lượng dòng điện cần thiết từ mạch lái để bật mở (on) linh kiện trong một khoảng thời gian theo ý muốn vì Q = CV và I = C dv/dt, Q = thời gian × dòng điện. Thí dụ, một linh kiện có điện tích cực cửa là 20 nC có thể được bật dẫn trong 20 μs nếu là 1 mA được cấp đến cực cửa hoặc nó có thể bật dẫn trong 20 ns nếu dòng điện cực cửa được tăng lên 1A. Những phép tính đơn giản này sẽ không có thể thực hiện được với các giá trị điện dung đầu vào.
Khả năng dv/dt
Việc phục hồi diode đỉnh được định nghĩa là tốc độ gia tăng tối đa được cho phép của điện áp máng-nguồn, tức là khả năng dv/dt. Nếu tốc độ này bị vượt quá thì điện áp trên các đầu cực cửa-nguồn có thể trở nên cao hơn so với điện áp ngưỡng của linh kiện, ép buộc linh kiện vào chế độ dẫn dòng và trong những điều kiện nhất định một hư hỏng trầm trọng có thể xảy ra. Hai cơ chế có khả năng xảy ra khi sự bật mở dv/dt có thể diễn ra. Hình 8 biểu diễn mô hình mạch tương đương của một MOSFET công suất, bao gồm BJT ký sinh. Cơ chế đầu tiên của việc bật mở cảm ứng dv/dt sẽ hoạt động thông qua hành động hồi tiếp của điện dung cửa-máng, CGD. Khi một đường dốc điện áp xuất hiện trên đầu cực nguồn và đầu cực máng của linh kiện, dòng điện I1 chạy qua điện trở cực cửa, RG, bởi điện dung cửa-máng, CGD. RG là tổng trở của cực cửa trong mạch và sụt áp trên nó được cho bởi:
Khi điện áp cực cửa VGS vượt quá điện áp ngưỡng Vth của linh kiện, linh kiện bị ép dẫn. Do đó, khả năng dv/dt cho cơ chế này được thiết lập bởi:
Rõ ràng là Vth thấp linh kiện dễ bị dv/dt bật dẫn. Hệ số nhiệt âm của Vth là đặc biệt quan trọng trong các ứng dụng ở đó đang có nhiệt độ môi trường cao. Ngoài ra trở kháng mạch cực cửa phải được lựa chọn cẩn thận để tránh hiệu ứng này.
Nếu điện áp phát triển trên RB lớn hơn hơn khoảng 0,7V, thì tiếp xúc nền-phát được phân cực thuận và BJT ký sinh được bật dẫn. Dưới các điều kiện (dv/dt) cao và các giá trị lớn của RB, điện áp đánh thủng của MOSFET sẽ được giới hạn đến điện áp đánh thủng cực nền hở của BJT. Nếu điện áp cực máng cấp vào lớn hơn điện áp đánh thủng cực nền hở, thì MOSFET sẽ đi vào vùng thác lũ và có thể bị phá hủy nếu dòng điện không bị giới hạn bên ngoài.
Do đó, tăng khả năng (dv/dt) đòi hỏi giảm điện trở cực nền RB bằng cách tăng vùng tạp chất và giảm khoảng cách hiện tại, I2 phải chảy ngang qua vùng tạp chất trước khi nó được thu thập bởi cực nguồn kim loại hóa. Như trong cơ chế đầu tiên, khả năng dv/dt liên quan đến BJT trở nên xấu hơn ở các nhiệt độ cao hơn bởi vì RB tăng và VBE giảm khi tăng nhiệt độ.
Hình 8: Mạch tương đương của MOSFET công suất.
Phân loại Mosfet
Có 2 loại MOSFET thông dụng: là MOSFET kênh N và kênh P
– MOSFET kênh N: Điện áp điều khiển mở MOSFET là UGS > 0, dòng điện sẽ đi từ D xuống S.
Sơ đồ mạch kiểm tra MOSFET kênh N được trình bày như hình bên dưới.
Sơ đồ mạch tìm hiểu hoạt động mosfet kênh N
Mạch kích dùng Diode Zener 12V để cố định nguồn điện áp 12V, điện trở R1 hạn dòng cho Zener. Khi biến trở RV1 thay đổi giá trị từ 0 – 10k thì điện áp ở UGS sẽ thay đổi từ 0 – 12V. Và qua mô phỏng ta thấy được:
+ Khi điện áp kích UGS > 4V thì MOSFET bắt đầu dẫn.
+ Khi điện áp UGS>10V thì điện áp UDS = 0,25V không thay đổi (MOSFET dẫn bão hòa).
– MOSFET kênh P: Điện áp điều khiển mở MOSFET là UGS < 0, dòng điện sẽ đi từ S đến D
Sơ đồ mạch kiểm tra MOSFET kênh P được vẽ như hình bên dưới.
Sơ đồ mạch tìm hiểu hoạt động Mosfet kênh P
Tương tự như mạch kích MOSFET kênh N, dùng diode Zener 12V để tạo nguồn điện áp 12V. Khi biến trở RV1 thay đổi giá trị từ 10K – 0 Ohm thì điện áp UGS = -USG thay đổi từ 0 – 12V. Qua mô phỏng ta thấy được:
+ Khi điện áp USG > 4V thì MOSFET kênh P bắt đầu dẫn.
+ Khi điện áp USG > 10V thì MOSFET dẫn bão hòa.
Một số mạch ứng dụng mosfet
Mạch điều khiển mosfet bằng công tắc
Mạch đơn giản sử dụng công tắc điều khiển MOSFET, thông qua đó điều khiển một bóng đèn một chiều có điện áp cao. Phần công suất sử dụng điện áp DC 50V và phần điều khiển sử dụng điện áp DC 12V.
+ Khi công tắc mở: điện trở kéo xuống R1 sẽ kéo điện áp UGS về 0V, do đó MOSFET không dẫn điện.
+ Khi công tắc đóng: điện áp UGS = 12V, kích MOSFET dẫn bão hòa như một công tắc đóng, nên đèn sáng.
Điều khiển mosfet bằng mạch đệm transistor npn
Mạch bên dưới điều khiển MOSFET bằng mạch đệm dùng thêm transistor npn. Transistor đóng vai trò như một công tắc giống như ở mạch trên.
+ Khi áp điều khiển U1 ở mức thấp thì transistor Q2 mở, điện áp UGS = 12V do đó kích dẫn MOSFT.
+ Khi áp điều khiển U1 ở mức cao thì transistor Q2 đóng, điện áp UGS = 0V, MOSFET không dẫn điện.
Ưu điểm của mạch này là mạch xung điều khiển có điện áp mức cao chỉ từ 3.3V hay 5V, ngõ ra phù hợp cho các loại vi điều khiển hiện nay.
Nhược điểm là không phù hợp cho ứng dụng ở tần số quá cao, do tụ ký sinh bên trong MOSFET sẽ làm chậm khả năng đóng ngắt của MOSFET. Để giải quyết vấn đề này chúng ta sẽ tìm hiểu mạch ứng dụng tiếp theo.
Điều khiển mosfet dùng mạch đệm totem-pole
Sơ đồ mạch cải thiện sử dụng cấu trúc totem-pole gồm 2 transistor NPN và PNP.
+ Khi điện áp kích U1 ở mức cao Q2 dẫn và Q3 khóa làm MOSFET dẫn.
+ Khi tín hiệu điện áp U1 ở mức thấp thì Q2 ngắt, các điện tích của tụ ký sinh trên mạch cổng được phóng thích, đồng thời Q3 dẫn. Kéo điện áp UGS nhanh về 0V, do đó MOSFET không dẫn.
Ưu điểm của mạch này là đáp ứng được tín hiệu có tần số cao, tuy nhiên mạch khá phức tạp.
Do tính chất nhạy cảm của các loại vi điều khiển, nên người ta thường sử dụng opto để cách ly mạch điều khiển và mạch công suất.
Mạch điều khiển MOSFET có cách ly
Mạch bên dưới sử dụng opto PC817 để cách ly phần mạch điều khiển và mạch công suất. Mạch phát xung có thể sử dụng vi điều khiển, hay các mạch phát xung PWM. Ở đây tôi sẽ sử dụng mạch IC555.
Nguyên lý mạch điện như sau:
+ Khi điện áp ngỏ ra của mạch IC555 ở mức thấp, Led opto sẽ sáng và làm transistor trong opto dẫn điện. Làm kích dẫn Q3, ngắt Q2, điện áp UGS = 0V nên MOSFET không dẫn điện.
+ Khi điện áp ngỏ ra của mạch IC555 ở mức cao, Led opto tắt nên transistor bên trong opto mở. Điện áp 12V thông qua điện trở R1 làm kích dẫn transistor Q2, kéo theo MOSFET dẫn điện.
Mạch mô phỏng trên phần mềm Proteus
Mạch điều khiển này còn có một khuyết điểm là không thể đảo điều được động cơ một chiều. Do đó đối với ứng dụng cần đảo chiều người ta sử dụng mạch cầu H.
Mạch cầu H sử dụng 4 mosfet kênh N
Nguyên lý điều khiển tốc độ động cơ bằng mạch cầu H dùng MOSFET là điều khiển kích dẫn từng cặp MOSFET để thay đổi chiều dòng điện chạy trong động cơ.
+ Giả sử khi Q1 và Q4 cùng dẫn thì động cơ quay theo chiều thuận.
+ Khi Q2 và Q3 cùng dẫn thì động cơ quay theo chiều ngược lại.
Lưu ý:
+ Hai MOSFET ở cùng một cột (Q1 và Q2, Q3 và Q4) không được dẫn cùng lúc vì sẽ gây ra ngắn mạch.
+ Để MOSFET dẫn hoàn toàn thì phải đảm bảo điện áp kích UGS của từng MOSFET từ 12-18V.
+ Ta thấy ở hai MOSFET Q1 và Q3 điện áp cực S luôn thay đổi, để ổn định điện áp kích UGS người ta sẽ sử dụng mạch Bootstrap. Trong mạch này tôi sẽ dùng IC lái IR2103 để điều khiển kích dẫn các MOSFET.
Chi tiết về mạch cầu H sử dụng MOSFET mình đã trình bài rất chi tiết trong bài viết dưới đây các bạn có thể tải về để tham khảo.
